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装置概要
・エッチングプロセス中にエッチングレート、厚、
　膜の反射強度変化による境界面検知。
・Xe-Hg紫外光照射により膜厚変化をモニタ。
・発光分析では不可能なエッチング深さのエンド
　ポイントが可能。